JAMF vond op Electic Tech een artikel over een nieuw soort geheugen van Toshiba. Het bedrijf heeft gisteren namelijk een tweetal 64Mbit PSRAM chips aangekondigd. Dit pseudo-statische geheugen heeft een toegangstijd die ergens tussen de 80 en 85ns ligt en werkt op een spanning tussen de 2,5 en 3,1 Volt. Er zijn twee aparte klok-types aanwezig, om ontwerpers van allerlei mobiele en draadloze apparaatjes de nodige vrijheid te geven. PSRAM gebruikt van nature al erg weinig stroom en kent bovendien twee standy-by modi. In low-power mode wordt door de 8MB chip slechts 100 microampere gebruikt en in de "deep power down" stand wordt dat nog eens geminimaliseerd naar vijf microampere. Ontwikkelaars kunnen een gedetailleerde simulatie gebuiken om de chips alvast digitaal te implementeren:
To provide designers with added flexibility, Toshiba's PSRAM devices support access times of 80 or 85 nanoseconds (ns) and are available in two clock types. These include the previously announced /CE clock type, in which address input pins are latched by the falling edge of the /CE pin in each read/write cycle; and the newly added /OE and /WE clock type, in which address input pins are latched by the falling edge of the /OE pin in the read cycle and the /WE pin in the write cycle for a more seamless SRAM-like design.
``As people rely more on the portability of their computing and communications systems, there is a definite trend toward designing more feature-rich applications resulting in a greater demand for memory within these systems,'' said Paul Liu, manager of business development for SRAM memory at TAEC. ``Toshiba's 64Mb PSRAM meets the high-density memory requirements traditionally satisfied using a DRAM solution, while providing the design flexibility and low power essential for wireless and portable applications. In essence, we're offering designers the best of both worlds.''