Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Nieuw procedé maakt grotere diamanten wafers mogelijk

Japanse onderzoekers hebben een manier gevonden om diamanten wafers voor de productie van halfgeleiders groter te maken dan voorheen mogelijk was. Het wetenschapsteam plakte hiervoor gekloonde, kleine wafers aan elkaar.

Diamant heeft meerdere eigenschappen die het een geschikt materiaal voor de halfgeleiderindustrie maken. Het is een zeer goede elektrische isolator, maar door de kristalstructuur te verontreinigen kan het ook uitstekend als halfgeleider dienst doen. Bovendien is diamant een betere geleider voor warmte dan silicium. De productie van synthetische diamanten wafers is echter lastig, waardoor hun afmetingen tot dusver beperkt bleven tot ongeveer een vierkante centimeter bij een dikte van enkele millimeters.

Een onderzoeksgroep van het Japanse National Institute of Advanced Industrial Science and Technology is er echter in geslaagd grotere wafers te produceren. Zij slaagden erin om meerdere kleine wafers samen te voegen. De kleine wafers werden geproduceerd door koolstofatomen met de zogeheten cvd-techniek op een laag met synthetische 'kiemdiamanten' te dampen. De opgedampte diamantschijfjes werden vervolgens van de ondergrond losgeëtst. Met dezelfde cvd-techniek werden meerdere kleine wafers ten slotte versmolten.

In het verleden leverde dit niet-uniforme wafers op, die niet voor massaproductie geschikt zijn. De Japanners gebruikten echter steeds dezelfde ondergrond met kiemdiamanten, waardoor ze erin slaagden om identieke wafers te produceren. Door zes van deze kleine wafers met de juiste oriëntatie met elkaar te versmelten, produceerden zij monokristallijne wafers van 25 bij 25mm. In het komende jaar willen de onderzoekers eerst wafers van 50 bij 50mm en vervolgens van 75 bij 75mm produceren.

Door Willem de Moor

Redacteur componenten

08-04-2010 • 19:15

26 Linkedin Google+

Reacties (26)

Wijzig sortering
Het voordeel van CVD is dat het meestal ultra langzaam gaat, hoewel hier niet gezegd is welke techniek ze gebruiken (MBE *heel erg langzaam* MOCVD *minder langzaam* HVPE *bijna snel te noemen*, etc) lijkt snelste (welke dat dan is is dus niet duidelijk maar het zal wel iets als microwave plasma CVD zijn) me de meest logische omdat die over het algemeen dus ook de dikte van de wafers kan waarmaken. Het nadeel blijft natuurlijk de onzuiverheden. Die zul je vooral aan de randen van de wafers zien. De reden hiervoor is dat het materiaal eigelijk bij iedere techniek gedurende het groeien ook weggeetst wordt. De randen zijn dan kristalgroeitechnisch kwetsbaarder voor kristalfouten.
Dit is echter niet zo heel erg. Over het algemeen worden de wafers rondgedraaid tijdens het groeien om fouten te voorkomen (dit wordt vaak ook gedaan bij het trekken van silicium ingots) en is een cirkelvormige vorm dus het meest logisch om te maken.
Omdat ze nu toch vierkante stukjes gebruiken om grote wafers te maken zullen ze de eerste batch wafers wel gewoon zagen of breken over een kristalvlak in een vierkante vorm (waardoor de meeste kristalfouten dus weggehaald worden) om die dan te overgroeien zodat ze (1) aan elkaar groeien, (2) dikker worden en (3) een uiteindelijke vierkante vorm krijgen.

[Reactie gewijzigd door beefstick op 8 april 2010 20:47]

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.


Apple iPhone 11 Nintendo Switch Lite LG OLED C9 Google Pixel 4 FIFA 20 Samsung Galaxy S10 Sony PlayStation 5 Elektrisch rijden

'14 '15 '16 '17 2018

Tweakers vormt samen met Hardware Info, AutoTrack, Gaspedaal.nl, Nationale Vacaturebank, Intermediair en Independer DPG Online Services B.V.
Alle rechten voorbehouden © 1998 - 2019 Hosting door True