Cookies op Tweakers

Tweakers is onderdeel van DPG Media en maakt gebruik van cookies, JavaScript en vergelijkbare technologie om je onder andere een optimale gebruikerservaring te bieden. Ook kan Tweakers hierdoor het gedrag van bezoekers vastleggen en analyseren. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Cookies accepteren' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt? Bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

MIT-onderzoekers maken transistors van nanodraden

Een groep onderzoekers heeft van silicium nanodraden, die een geschikt medium voor elektronentransport zouden zijn, transistors gebouwd. Hun methode zou de verdere verkleining van componenten voor chips mogelijk maken.

De medewerkers van Microsystems Technology Laboratories, onderdeel van het MIT, hebben transistors van silicium nanodraden gemaakt en deze op elkaar gestapeld. Eerder wisten de onderzoekers de geleiding van hun silicium nanodraden al te verdubbelen: eerder werd gedacht dat de draden onvoldoende geleiden voor praktische toepassingen. Door het stapelen van vijf draden is niet alleen de geleiding vervijfvoudigd, ook toonde de groep aan dat silicium nanodraad-transistors een levensvatbaar alternatief voor reguliere chip-ontwerpen zijn.

De nanodraden worden vrij opgehangen aan geleidende elektrodes, waarbij de gate rondom het channel gevormd kan worden. Op die manier is het schakelen van de transistors makkelijker. De onderzoekers, geleid door Judy Hoyt, wisten de geleiding van de nanodraden te vergroten door gebruik te maken van strained silicium. Daarbij wordt de kristalstructuur van het metaal opgerekt met behulp van germanium. De grotere afstanden tussen de atomen maken de mobiliteit van elektronen groter, wat de geleiding door de nanodraden verbetert.

De silicium nanodraden werden gemaakt door een laagje silicium op een wafer met een siliciumgermanium-legering aan te brengen; de afstanden tussen de atomen in het siliciumlaagje passen zich aan aan de grotere afstanden tussen de atomen in de SiGe-laag. De strained silcium-laag werd vervolgens overgebracht naar een tweede wafer en door het proces te herhalen, werden meerdere lagen opgebouwd. De gewenste structuren werden met elektronenstraallithografie geëtst.

Met de nieuwe techniek konden de onderzoekers nanodraden produceren met een diameter van acht nanometer; bovendien zou de 'strain' in de nanodraden tweemaal zo groot zijn als die in reguliere chips. Om de silicium nanodraden een echt alternatief voor chipproductie te laten zijn, dienen behalve n-channel- ook p-channel-transistors te worden ontwikkeld: het silicium in de nanodraden zou hiervoor gecomprimeerd moeten worden. Aan die nanodraden werkt het MIT-team momenteel.

Wat vind je van dit artikel?

Geef je mening in het Geachte Redactie-forum.

Door Willem de Moor

Redacteur componenten

07-01-2010 • 16:29

20 Linkedin


Apple iPad Pro (2021) 11" Wi-Fi, 8GB ram Microsoft Xbox Series X LG CX Google Pixel 5a 5G Sony XH90 / XH92 Samsung Galaxy S21 5G Sony PlayStation 5 Nintendo Switch Lite

Tweakers vormt samen met Hardware Info, AutoTrack, Gaspedaal.nl, Nationale Vacaturebank, Intermediair en Independer DPG Online Services B.V.
Alle rechten voorbehouden © 1998 - 2021 Hosting door True