Cookies op Tweakers

Tweakers is onderdeel van DPG Media en maakt gebruik van cookies, JavaScript en vergelijkbare technologie om je onder andere een optimale gebruikerservaring te bieden. Ook kan Tweakers hierdoor het gedrag van bezoekers vastleggen en analyseren. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Cookies accepteren' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt? Bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Samsung ontwikkelt 2d-materiaal voor isolatie dram- en nand-interconnects

Samsung meldt tweedimensionaal amorf boornitride ontwikkeld te hebben met eigenschappen die het materiaal geschikt maken als isolator voor chipinterconnects. Een laagje van het materiaal zou elektrische verstoring van interconnects goed kunnen tegengaan.

Samsung heeft bij zijn onderzoek de goede isolatie-eigenschappen van tweedimensionaal amorf boornitride aangetoond en ook gedemonstreerd dat het materiaal op waferschaal, bij een relatief lage temperatuur van 400 graden Celsius te kweken is. Het bedrijf denkt dat het materiaal daarom op grote schaal zal worden toegepast voor dram en nand, hoewel het bedrijf erkent dat er nog uitdagingen zijn voor de toepassing in de halfgeleiderproductieprocessen.

Het onderzoek is van belang voor de verdere verkleining van chipstructuren en dan vooral voor een verdere afname van de omvang van de interconnects. Dit zijn de metalen lijntjes die de verschillende onderdelen op een chipoppervlak verbinden. Voor een efficiënte overdracht van het signaal moeten de interconnects tegen elektrische verstoring van buitenaf worden afgeschermd.

De IEEE International Roadmap for Devices and Systems voor de halfgeleiderindustrie stelt dat tegen 2028 materiaal met een diëlektrische waarde van minder dan 2 is vereist. Alleen daarmee blijven de interconnects in de pas lopen met de miniaturisering van de elektronica. Samsung meldt dat zijn amorf boornitride een diëlektrische waarde van 1,78 heeft.

Samsung meldt amorf boornitride met een dikte van 3 nanometer te maken op basis van 'wit grafeen'. Ook wit grafeen is een tweedimensionaal materiaal van boor- en stikstofatomen, maar bij dit materiaal zijn die gerangschikt in een hexagonale oftewel honingraatstructuur. Samsungs 2d-materiaal is amorf oftewel zonder een kristallijne structuur.

Samsungs Advanced Institute of Technology publiceert zijn onderzoek in het wetenschappelijke tijdschrift Nature onder de titel Ultralow-dielectric-constant amorphous boron nitride.

Wat vind je van dit artikel?

Geef je mening in het Geachte Redactie-forum.

Door Olaf van Miltenburg

Nieuwscoördinator

07-07-2020 • 13:08

13 Linkedin

Submitter: P3TER_


Nintendo Switch (OLED model) Apple iPhone 13 LG G1 Google Pixel 6 Call of Duty: Vanguard Samsung Galaxy S21 5G Apple iPad Pro (2021) 11" Wi-Fi, 8GB ram Nintendo Switch Lite

Tweakers vormt samen met Hardware Info, AutoTrack, Gaspedaal.nl, Nationale Vacaturebank, Intermediair en Independer DPG Online Services B.V.
Alle rechten voorbehouden © 1998 - 2021 Hosting door True