MIT-onderzoekers ontwikkelen 'snelste transistor'

Onderzoekers van de Amerikaanse onderzoeksuniversiteit MIT hebben een transistor ontwikkeld die volgens hen een record zet op het gebied van elektronenmobiliteit. De MIT'ers zetten daartoe germanium in plaats van silicium in.

De transistor die de medewerkers van het Massachusetts Institute of Technology ontwikkelden, is een p-type transistor: een sneller n-type transistor moet nog gebouwd worden om de techniek in commerciële chips inzetbaar te maken. De MIT-transistor zou beschikken over een viermaal zo hoge carriermobiliteit, in dit geval voor gaten, als commerciële transistors. Vergeleken met experimentele transistors zou de nieuwe transistor tweemaal zo snel zijn.

De snelheid is te danken aan het gebruikte halfgeleidermateriaal: de MIT-medewerkers gebruiken geen silicium maar germanium. Dat metaal liet zich beter 'comprimeren', een techniek die straining genoemd wordt: de onderzoekers gebruikten hiertoe meerdere lagen substraat van silicium en silicium-germanium om de atomen steeds dichter opeen te pakken. In commerciële chips wordt strained silicium gebruikt.

De transistors van MIT's Microsystems Technology Laboratories hebben een trigate-ontwerp, waarbij het channel omgeven wordt door een driedimensionale gate: die techniek gebruikt Intel ook voor zijn Ivy Bridge-processors. Zo blijft de gate groot genoeg om de transistor zonder grote lekstromen te kunnen schakelen. Volgens de onderzoekers zou de germanium-techniek in toekomstige generaties processors toegepast kunnen worden.