Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Je kunt ook een cookievrije versie van de website bezoeken met minder functionaliteit. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , reacties: 9, views: 7.596 •

Nikon is een samenwerking aangegaan met een bedrijf uit Singapore om gezamenlijk lithografieapparatuur te ontwikkelen waarmee kleinere transistors kunnen worden geproduceerd dan tot nu toe mogelijk was. In een testlab zal 193nm-lithografie worden ontwikkeld.

De onderzoeksactiviteiten van Nikon en het A*STAR Institute of Microelectronics worden ondergebracht in een r&d-laboratorium. De Japanners en Singaporezen zullen samen lithografische technieken ontwikkelen om 193nm-licht te gebruiken voor halfgeleiderproductie. Daarbij zouden argonfluoride-lasers gebruikt worden voor het uitzenden van diep-ultraviolet licht om wafers te produceren. Daarbij moeten technieken als multiple patterning en zelforganisatie een rol spelen.

Met de lithografische technieken moeten wafers met transistors van minder dan 20nm worden geproduceerd. De kleinste transistors die momenteel op 22nm geproduceerd worden, zouden met de huidige technieken lastig kleiner gemaakt kunnen worden. Met technieken als multi patterning en met nanobolletjes die het fotomasker spontaan vormen, moeten kleinere transistors mogelijk gemaakt worden.

Een concurrerende techniek, die fijnere patronen kan produceren door licht met een kleinere golflengte te gebruiken, is eveneens in ontwikkeling. Die euv-techniek laat echter vooralsnog op zich wachten; concurrent ASML heeft die techniek in ontwikkeling, net als Nikon zelf.

Reacties (9)

Verwarrend als je niet snapt dat de 193 nm over de golflengte van het licht van de laser gaat, en de 20 / 22 nm over de grootte van de transistoren.
Vergeet niet dat de golflengte van het licht wat anders is dan zijn amplitudo (de breedte van de golf). De golflengte geeft aan hoeveel afstand in X de golf nodig heeft om een enkele sinus af te leggen, de Y afstand (de breedte van de golf; amplitudo) hoeft dus niet hetzelfde te zijn als zijn lengte.
De Japanners en Singaporezen zullen samen lithografische technieken ontwikkelen om 193nm-licht te gebruiken voor halfgeleiderproductie. Daarbij zouden argonfluoride-lasers gebruikt worden voor het uitzenden van diep-ultraviolet licht om wafers te produceren.
Vreemd bericht, de machines van ASML werken al jaren met 193 nm DUV, ArF lasers, en multiple-patterning. Ik vraag me dus af wat ze nu eigenlijk precies willen gaan onderzoeken daar... Of eigenlijk: wat ze de afgelopen jaren dan hebben gedaan. :?

[Reactie gewijzigd door johnbetonschaar op 3 januari 2013 13:32]

Nikon and IME will extend ArF deep-ultraviolet (DUV) dry and immersion lithography by further developing multiple patterning and directed self-assembly techniques
Optical lithography at 193 nm has been around for years and is used, for example, in the production of Intel's current 22 nm Ivy Bridge CPU chips.
Nikon and IME's other approach -- directed self-assembly -- is a radical departure from conventional lithography; in this technique, nanosized building blocks (such as nanospheres) are made to assemble to create the photomask required for exposure. This is called a "bottom-up" technique, as opposed to conventional lithography's "top-down" approach.
Rechtstreeks uit het artikel, ze gaan de bestaande technieken met 193nm licht verder ontwikkelen.

[Reactie gewijzigd door Mraedis op 3 januari 2013 13:55]

Ah ok, dus wat nieuwswaarde betreft gaat het dus eigenlijk vooral om directed self-assembly... Viel niet erg goed uit de samenvatting op te maken, die is wel heel erg algemeen opgeschreven, alsof ze bij Nikon zaten te slapen de afgelopen jaren en er nu pas achter komen hoe moderne niet-EUV lithografie systemen werken ;)

Directed self-assembly heb ik ook al eens voorbij zien komen in ASML presentaties overigens, dus ook wat dat betreft geen volkomen nieuwe technologie.
Ze willen de 193nm gewoon nog verder uitknijpen qua afgebeelde resolutie aangezien EUV nog wat op zich laat wachten. Dit gaan ze doen met allelei technieken zoals multi-pattern belichtingen.
Wat ze waarschijnlijk gaan proberen (maar dit is slechts een vermoeden) is de bestaande technieken verder oprekken zodat er toch met nog kleinere componenten gewerkt kan worden dan nu mogelijk is met deze zelfde techniek.

Wat ASML inderdaad probeert te doen is om het bestaande lens-gebaseerde mechanisme te vervangen voor een techniek met spiegels. Niet omdat dat leuker is, maar simpelweg omdat er voor de door ASML gewenste golflengte 'licht' geen geschikte lenzen te maken zijn; al het 'licht' zou geabsorbeerd worden door het lensmateriaal zelf.
....ASML heeft die techniek in ontwikkeling...
Global Foundries had 9 maanden geleden een prototype machine van ASML net werkend met de euv techniek. Er werd op de DATE'12 conferentie in Dreesden aangekondigd dat ze de eerste werkende wavers met sub-20nm uit de machines hadden gehaald. Over de yield werd niets gezegd.
Het zijn bij mijn weten nog evaluatie-versies van die machines, EUV is nog niet direct productierijp. Een van de grootste problemen is niet zozeer de yield maar de doorvoersnelheid. Het duurt nog simpelweg te lang om een wafer te belichten waardoor EUV (nog) niet kosteneffectief is.

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Populair: Vliegtuig Luchtvaart Crash Smartphones Laptops Apple Games Politiek en recht Besturingssystemen Rusland

© 1998 - 2014 Tweakers.net B.V. onderdeel van De Persgroep, ook uitgever van Computable.nl, Autotrack.nl en Carsom.nl Hosting door True

Beste nieuwssite en prijsvergelijker van het jaar 2013