MIT demonstreert 22nm-InGaAs-transistors

Medewerkers van Microsystems Technology Laboratories hebben transistors gebouwd van indiumgalliumarsenide. Dat materiaal kan volgens de onderzoekers een alternatief vormen voor siliciumtransistors: de testtransistors werden op 22nm geproduceerd.

De 22nm-transistors vormen 's werelds kleinste niet-silicium transistors, volgens het team van Microsystems Technology Laboratories, een onderdeel van het Massachusetts Institute of Technology. De eerste testexemplaren van de mosfets, het meestgebruikte type transistors, werden van indiumgalliumarsenide en molybdeen gemaakt. Volgens een van de ontwikkelaars, Jesús del Alamo, zou indiumgalliumarsenide een beter materiaal voor kleinere transistors zijn dan siliciumoxide: de elektrische eigenschappen zouden hogere schakelstromen en dito snelheden mogelijk maken.

De prototypen werden gemaakt volgens een aangepast 22nm-procedé, waarbij een kristallijne vorm van indiumgalliumarsenide werd geproduceerd door de individuele elementen als gas bij elkaar te brengen. Daarop werd molybdeen aangebracht dat als source- en drain-elektrodes dienst doet. Ten slotte werd via electron beam-lithografie een gate geëetst die wederom van molybdeen gemaakt wordt.

Via dit proces waren de onderzoekers in staat 22nm-transistors te maken, maar ze denken tot kleiner dan 10nm te kunnen komen. Eerst moet echter de prestatie opgekrikt worden: door interne weerstanden te verlagen zou de snelheid verhoogd kunnen worden. Wanneer de transistortechniek klaar zou zijn voor commercieel gebruik, laten de onderzoekers in het midden.