Toshiba kondigt doorbraak aan in nieuw type geheugen

Toshiba heeft zogeheten spin transfer torque magnetoresistive random access memory ontwikkeld met een sterk gereduceerd energieverbruik ten opzichte van eerder ontwikkeld stt-mram. Het geheugen kan daarmee mogelijk sram op gaan volgen als cache-geheugen.

Toshiba heeft een nieuw prototype gemaakt van spin transfer torque magnetoresistive random acces memory, oftewel stt-ram, met vooralsnog het laagste energieverbruik. Eerdere prototypes van Spintech, IBM of Toshiba zelf, verbruiken tien keer zoveel energie. Het verbruik van het nieuwste prototype ligt dan ook onder dat van sram, wat de weg vrij lijkt te maken om dit type geheugen te vervangen door stt-ram.

Toshiba modelleerde het gebruik van het geheugen aan de hand van een, naar eigen zeggen, 'zeer nauwkeurige' simulatie. In deze virtuele testomgeving verbruikte een niet nader gespecificeerde mobiele chip in combinatie met het stt-mram slechts een derde van de energie die de chip normaliter verbruikt.

Bij stt-ram wordt een magneet onder spanning gezet om de richting van het magnetische veld te veranderen. De verandering van richting veroorzaakt een wijziging van de weerstand, die te registreren is als een 0 of een 1. Een van de voordelen van stt-ram is dat het zijn lading niet verliest als de stroom wegvalt. In de standby-modus verbruikt Toshiba's stt-ram dan ook geen energie, terwijl dat bij sram wel het geval is.

Stt-mram moet sram gaan vervangen, maar tot nog toe verbruikte stt-mram meer energie dan sram bij gelijke snelheden. Dat kwam mede doordat stt-ram moeilijk verkleind kon worden tot een kleiner productie-procede, maar Toshiba zou nu een procede gebruiken dat kleiner is dan 30nm.