Samsung start massaproductie mobiel 4Gb-dram op 3xnm

Samsung is begonnen met de massaproductie van geheugenchips voor mobiele toepassingen. De low power-ddr2-chips worden in capaciteiten van 4Gb geproduceerd en zijn onder meer bedoeld voor dualcoretablets en -telefoons.

De chips werden al in december aangekondigd; toen werd de ontwikkeling van het geheugen afgerond. Inmiddels heeft Samsung laten weten gereed te zijn voor de massaproductie van de geheugenchips. Nog deze maand moeten de 4Gb-chips in opeengestapelde pakketjes met twee of vier chips verwerkt worden.

Daarmee worden modules van 2 of 4GB gemaakt; met 2Gb-chips waren tweemaal zo veel chips nodig om dat te realiseren. De nieuwe modules zijn met 0,4mm iets dunner dan de vorige generatie van 0,5mm. De reductie in dikte wordt onder meer mogelijk gemaakt door het kleinere procedé waarop de 4Gb-chips worden gebakken; in plaats van op 4x nanometer worden de nieuwe chips op 3x nanometer gemaakt.

Het geheugen kan met snelheden van 1066MHz worden aangesproken. Ter vergelijking: de huidige mobiele ddr-chips werken op 333 tot 400MHz. Daarmee is het geheugen vooral bedoeld voor high-end toepassingen. De chips moeten tevens 25 procent zuiniger zijn dan hun voorgangers.