Samsung brengt phase change-geheugen uit

Samsung heeft zijn eerste multichip-phase change-geheugen uitgebracht. De chips zijn beschikbaar voor fabrikanten van onder meer mobieltjes. Het nieuwe geheugen moet het tragere nor-geheugen in mobiele telefoons vervangen.

Samsung toonde vorig jaar prma-chips met een capaciteit van 512MB, maar heeft zijn afzonderlijke chips inmiddels verpakt in modules die klaar zijn voor gebruik in mobiele telefoons. Deze zogeheten multichipmodules worden in de loop van dit kwartaal aan fabrikanten van mobieltjes geleverd. De modules worden gebouwd met 512Mb-chips die volgens een 4xnm-procedé zijn vervaardigd. De modules kunnen nor-chips, die van traditioneel flashgeheugen worden gemaakt, direct vervangen; zowel de verpakking als de softwarematige aansturing is compatibel.

In een later stadium zal Samsung overstappen naar een procedé waarmee de pram-chips op 3xnm kunnen worden geproduceerd. Het phase change-geheugen is zuiniger dan flashgeheugen en is daarom vooral geschikt voor gebruik in mobiele apparaten, zoals telefoons, muziekspelers en pnd's. Phase change-geheugen werkt door een legering van germanium, antimoon en titaan te verhitten; de amorfe vorm van dit materiaal verandert in een kristallijne toestand wanneer het elektrisch wordt verhit. In de kristallijne toestand verandert de hoge elektrische weerstand van de amorfe vorm in een lage weerstand: zo worden respectievelijk een 0 en een 1 gerealiseerd.

Het zeer lokaal verhitten van de geheugendomeinen in pram vergt minder energie dan het wegschrijven van gegevens in traditioneel flash-geheugen. Het aansturen van transistors in flash is bovendien trager; Samsung claimt dat het pram driemaal sneller is dan nor-flashgeheugen. Ook moet het phase change-geheugen meer lees-schrijf-cycli kunnen doorstaan.