Samsung start productie eerste 20nm nand-flash-chips - update

De Koreaanse hardwarefabrikant Samsung Electronics heeft aangekondigd zijn nieuwste geheugenchips voor onder meer geheugenkaarten op 20 nanometer te produceren. De chips zouden ook voor mobiele telefoons worden gebruikt.

De productie op 20nm volgt op de vorige stap naar 30nm-chips en zou vergelijkbare opbrengsten als het 30nm-geheugen leveren. Bovendien is de geheugendichtheid van het 20nm-flashgeheugen 50 procent hoger dan van de 30nm-chips. Samsung heeft de eerste samples van sd-geheugenkaarten met 32Gb-geheugenchips die op 20nm werden gebakken naar zijn klanten gestuurd. De maximale capaciteit van die kaarten zal 64GB bedragen. Behalve voor geheugenkaarten zal het nand-geheugen worden gebruikt voor de productie van geheugenchips voor mobiele telefoons en embedded toepassingen.

In de loop van het jaar moet de productie van het geheugen worden opgevoerd om aan de vraag naar geheugenkaarten met capaciteiten van 4 tot 64GB te voldoen. Die kaarten zouden dankzij het kleinere procedé niet alleen goedkoper worden, maar ook sneller: Samsung claimt een prestatiewinst van 30 procent. Dat houdt een snelheidsklasse 10 in, wat leessnelheden tot 20MB/s en schrijfsnelheden tot 10MB/s betekent.

Update 20 april: Samsung communiceerde in zijn persbericht niet over een 20nm-procedé, maar meldde een 20nm-'class'-procedé, wat inhoudt dat de featuresize kan variëren tussen 20 en 29nm. Waarschijnlijk is Samsung op een 27nm-procedé overgestapt maar wil dit niet communiceren. Concurrenten Sandisk-Toshiba, IM Flash Technologies en Hynix produceren flash op respectievelijk 24nm, 25nm en 26nm.