IBM en AMD onthullen details 45nm-proces

IBM en AMD hebben tijdens de International Electron Devices Meeting in San Fransisco laten weten dat hun 45nm-proces, dat ze gezamenlijk aan het ontwikkelen zijn, gebruik zal maken van immersion lithography, ultra-low-k interconnect dielectrics en multiple enhanced transistor strain technologie.

Bij immersion lithography is de lucht die tussen de wafer en de lens van de lithografiemachine zit vervangen door zuiver water, waarvan de brekingsindex groter is dan lucht. Licht heeft een golflengte van 193nm als dit door lucht beweegt, maar slechts een golflengte van 134nm in water. Dit komt de optische resolutie van het proces ten goede. Hierdoor kunnen details beter worden aangebracht en is er meer marge voor fouten tijdens het belichten van de wafer.

De koperen geleiders op de chip die gebruikt worden voor de langeafstandsverbindingen zullen voorzien worden van een isolator met een ultra-lage k-waarde, de diëlektrische constante, in plaats van een isolator met een lage k-waarde. Hierdoor is er minder capaciteit tussen de verbinding en de rest van de chip, waardoor er minder energie nodig is en hogere frequenties mogelijk worden. Daarnaast zullen AMD en IBM gebruik blijven maken van strained silicium voor het fabriceren van transistors, iets dat volgens sommigen erg moeilijk zou zijn op de 45nm-node.