'Intels 45 nm-procédé heeft geen last van lekkageproblemen'

Volgens The Inquirer zou Intels 45nm-procédé voor de fabricage van chips totaal geen last hebben van lekkende transistorgates. The Inquirer baseert deze uitspraak op verschillende bronnen, die het natuurlijk niet wil noemen. The Inquirer verwacht dan ook dat Intel tijdens het komende Intel Developer Forum, eind augustus, erg positief zal zijn over het 45nm-proces, dat ergens in 2007 in gebruik zal worden genomen. Helaas kunnen de aangebrachte verbeteringen om lekkage te voorkomen in het 45nm-proces niet gebruikt worden voor het 65nm-proces. Wel zullen enkele andere innovaties uit het 45nm-proces, die voor een grotere opbrengst van chips uit een wafer moeten zorgen, later ook op 65nm worden toegepast.

Een moderne transistor bestaat uit een gate die via een isolator verbonden is met de drain en de source. Deze isolator bestaat uit siliciumdioxide. Het probleem is echter dat deze laag met elke verkleining van het proces ook dunner wordt. Hierdoor kan deze isolator zijn werk niet meer optimaal uitvoeren, waardoor deze gaat lekken. Het gevolg is dat er meer stroom in de gate moet worden gestuurd om de transistor te schakelen. Hierdoor gaat de chip meer energie verbruiken met alle gevolgen van dien.

Eind 2003 liet Intel Tweakers.net echter weten dat het een vervanger voor siliciumdioxide had gevonden. Daarnaast had Intel ook een oplossing gevonden om deze nieuwe isolator in een proces te kunnen gebruiken. Toen was er al sprake dat deze nieuwe technologie in 2007 op 45nm zou worden toegepast. Het probleem van lekkende transistors lijkt hiermee dus te zijn opgelost. Tenminste voor Intel, want als AMD en IBM niet een vergelijkbare technologie kunnen vinden, zullen ze het erg moeilijk krijgen om met Intel te concurreren in applicaties waar het verbruik een grote rol speelt, zoals notebookprocessors.