![[RSS]](http://tweakimg.net/g/if/v2/icons/rss_small.png){kind=icon}
![[quick]](http://tweakimg.net/g/if/icons/world_link_cropped.png){kind=icon}
Een van 's werelds meest bekende en grootste producent van geheugenchips, Samsung, gaat zich nu ook bezig houden met het ontwikkelen van MRAM. MRAM maakt gebruikt van magnetisme om bitjes op te slaan. Dit in tegenstelling tot DRAM dat gebruikt maakt van condensators of SRAM dat gebruikt maakt van flip-flops. Het nadeel van DRAM is de snelheid omdat de inhoud van de condensators na verloop van tijd verloren gaat en daarom regelmatig gerefresht moet worden. Daarnaast gaat de inhoud van de condensator ook verloren als je hem uitleest, dus elke leescyclus moet gevolgd worden door een schrijfcyclus die de gelezen waarde weer terug schrijft. Het nadeel van SRAM is de ruimte die door een flip-flop wordt ingenomen maar daar staat tegenover dat de waarde niet verloren gaat bij het uitlezen. Dit vertaald zich uiteraard in een hogere snelheid. Bij het lezen en schrijven van MRAM gaat de waarde van het met magnetisme opgeslagen bitje echter niet verloren en in theorie zou MRAM dus even snel moeten zijn als SRAM.
Een van de nadelen van MRAM is dat het moeilijk te fabriceren is. De oxydelaag die tussen twee laagjes ijzer in zit om de zogenaamde MTJ (Magnetic Tunnel Junction) op te bouwen waaruit de geheugencellen zijn opgebouwd mag namelijk niet in dikte variëren. Een variatie van meer dan 0,1 Angstroms kan er al voor zorgen dat de uitgelezen waarde enkele procenten afwijken. Hierdoor wordt de geheugencel onvoorspelbaar.
Samsung heeft hier een oplossing voor bedacht. Eerst wordt de weerstand van de MTJ omgezet in een voltage en opgeslagen in een condensator. Daarna wordt er een kant van de MTJ gemagnetiseerd en wordt de weerstand van de MTJ opnieuw uitgelezen en opgeslagen in een condensator. Als de waarde van de eerste condensator groter is als de waarde van de tweede condensator, dan was de opgeslagen waarde in de MTJ een '1' en anders was het een '0'. Helaas hangt er een nadeel aan deze techniek. Bij het magnetiseren van een kant van de MTJ gaat de oorspronkelijk waarde verloren. De MTJ cel zal dus opnieuw geprogrammeerd moeten worden na een leesactie.
 22:50 |
nVidia staakte DX 9.0-ontwikkeling na patenteis Microsoft |
 21:37 |
Bedrijven en overheid geïnformeerd over auteursrecht |
Door 
