Na Silicon-on-Insulator volgt Silicon-on-Nothing

The Work Circuit bericht dat onderzoekers bij STMicroelectronics bezig zijn met niets. Silicon-op-niets om precies te zijn. Met deze term wordt een nieuwe techniek aangeduid die verdere snelheidsverbeteringen mogelijk moet maken. Silicon-on-nothing maakt in tegenstelling tot bijvoorbeeld silicon-on-insulator niet gebruik van een materiaal om de schakelingen te isoleren. Op de plaats van dit isolerende materiaal wordt simpelweg wat ruimte gelaten. Hierdoor zorgt de lucht voor de isolatie. Dit werkt vele malen beter dan welk isolerend materiaal dan ook. Het zal mogelijk worden meerdere technieken door elkaar te gebruiken, zodat schakelingen die gebruik maken van bijvoorbeeld silicon-on-insulator in een chip gebakken kunnen worden met SON schakelingen:

ST has created experimental SON devices, with silicon films 15 nanometers thick over 20-nm air gaps, tunnels that are as long as 700 nm. The devices showed significant performance gains over planar CMOS, according to the company. More important for ST, which targets low-power markets, the SON prototypes consumed far less power than comparable planar CMOS devices.

"For low-power applications we do not believe bulk silicon can provide the same advantages as our silicon-on-nothing approach to SOI [silicon-on-insulator]," Skotnicki said. "Bulk is not over; it will continue to be used for general-purpose, low-cost devices. For low power, we believe we may need another option."