Ontwikkeling CMOS technologie ten einde in 2012

De EE Times bericht dat de technici op het Custom Integrated Circuits Conference er geen vertrouwen in hebben dat de huidige CMOS technologie nog langer dan tien jaar verbeterd kan worden. Het wordt steeds moeilijker om kleinere onderdelen op een bruikbare manier te benutten, maar tot nu toe lukt het nog om ongeveer iedere twee jaar een verbeterd procédé in gebruik te nemen. Men moet zich echter wel steeds vaker in rare bochten zoals SOI, 3D-procédés en nieuwe high-k materialen wringen om het voor elkaar te krijgen.

Daar gaat echter verandering in komen, volgens de wetenschappers is geen enkele haalbare methode denkbaar om gates kleiner dan 10 nanometer (0,01 micron) te bouwen en laten werken. Op dit moment worden 0,07µ gates gebruikt voor het 0,13 micron procédé, en Intel heeft 0,016µ gates geplanned voor ergens in het jaar 2009. De boodschap van de experts is dat er niet alleen ontzettend veel geld en onderzoek gestoken moet worden in het bereiken van de grens van CMOS, maar dat er ook iets geheel nieuws - zoals moleculaire structuren van benzeen of koolstof nano-tubes - klaar moet zijn op het moment dat men tegen de muur der natuurkunde aanloopt:

The pace of CMOS scaling may slow over the rest of this decade as leaky transistors and interconnect problems become more intractable, and the technology may run out of gas by 2012, according to technologists at the Custom Integrated Circuits Conference here. And whatever is to replace CMOS must be invented now, because it will take at least a decade to develop into a commercial technology, speakers said.