![[RSS]](http://tweakimg.net/g/if/v2/icons/rss_small.png){kind=icon}
![[quick]](http://tweakimg.net/g/if/icons/world_link_cropped.png){kind=icon}
Binnenkort zullen de microelectronica fabrikanten aanlopen tegen de fysieke limieten van Silicium. Onder andere IBM is al vergevorderd met een technologie, strained silicon genaamd, die ervoor moet zorgen dat transistors sneller kunnen schakelen zonder de transistors zelf kleiner te maken. Op EE Times kunnen we nu echter lezen over een Wales bedrijf, Sceptre Electronic, dat samen met het Russische Instituut voor Microelectronica een nieuw procédé heeft ontwikkeld voor het maken van wafers die niet gebaseerd zijn op strained silicon, maar op een andere technologie die gebruikt maakt van een running ion beam om de transistor kanalen op een wafer te doteren.
Door in plaats van het hele kanaal van een transistor op een silicium wafer te doteren, wordt met behulp van de running ion beam het kanaal met intervallen, van tussen de 20nm en 100nm, gedoteerd. Hierdoor neemt de weerstand van het kanaal af en kunnen de ladingdragers zich sneller verplaatsen wat dus een snellere transistor oplevert. Volgens Leon Rizzi, medeoprichter van Sceptre, zijn de resultaten goed en deze zomer zal de technologie in het groot worden uitgetest. Helaas is er een probleem, de meeste microelectronicafabrikanten hebben weinig vertrouwen in Russische technologie wat betekent dat Sceptre tientallen malen zal moeten bewijzen dat de technologie werkt.
 08:10 |
Later dit jaar eerste JPEG2000-toepassingen |
 21:33 |
Intel Pentium 4 roadmap update |
Door 
![[show]](http://tweakimg.net/g/if/comments/button_down.png "Reactie uitklappen")
), helemaal veranderd moeten worden, tot aan de kleinste transistor. Om dit te kunnen realiseren, moeten dan al de huidige fabriekjes dichtgegooid en allemaal nieuwe neergeplant worden. Zo'n proces duurt tientallen jaren en het geldbedrag dat hiervoor nodig is, is enorm. Dus ik denk dat het nog wel ff duurt 
(correct me if I'm wrong)
